SI1308EDL-T1-GE3
自营可供
IC
SOT-323
SI1308EDL-T1-GE3
场效应管(MOSFET) 400mW； 500mW 30V 1.4A 1个N沟道
品牌
VISHAY
封装
SOT-323
交期
现货
批次
两年内
SI1308EDL-T1-GE3参数
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 132mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 105pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 23pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8,515 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF |
| 类型 | N沟道 |
SI1308EDL-T1-GE3概述
场效应管(MOSFET) 400mW； 500mW 30V 1.4A 1个N沟道