SI1070X-T1-GE3
IC
SC-89-6
可供量大可议
SI1070X-T1-GE3
特性：无卤， 符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 100% 汞和 UIS 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。 应用：便携式设备的负载开关
品牌
VISHAY
封装
SC-89-6
库存
10
货期
现货
SI1070X-T1-GE3参数
| 封装 | SC-89-6 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
SI1070X-T1-GE3概述
特性：无卤， 符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 100% 汞和 UIS 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。 应用：便携式设备的负载开关
SI1070X-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI1070X-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。