SI1032X-T1-GE3
IC
SC-89-3
可供量大可议
SI1032X-T1-GE3
特性：无卤， 符合 IEC 61249-2-21 定义。 低侧开关。 低欧姆电阻：5 Ω。 低阈值：0.9 V（典型值）。 快速开关速度：35 ns。 TrenchFET 功率 MOSFET， 额定 1.5 V。 应用：驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器。 电池供电系统
品牌
VISHAY
封装
SC-89-3
库存
2,227
货期
现货
SI1032X-T1-GE3参数
| 封装 | SC-89-3 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2227 |
SI1032X-T1-GE3概述
特性：无卤， 符合 IEC 61249-2-21 定义。 低侧开关。 低欧姆电阻：5 Ω。 低阈值：0.9 V（典型值）。 快速开关速度：35 ns。 TrenchFET 功率 MOSFET， 额定 1.5 V。 应用：驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器。 电池供电系统
SI1032X-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI1032X-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。