SI1032R-T1-GE3-HXY
IC
SOT-523
可供量大可议
SI1032R-T1-GE3-HXY
SI1032R-T1-GE3 是一款高端N沟道MOSFET， 采用紧凑型SOT-523封装设计， 适用于空间有限的应用场景。 器件特点鲜明， 具有20V的VDSS电压， 可承载0.8A连续电流ID， 而其优异的导通电阻RD(on)低至180mR， 确保了高效能和低功耗运行。 此款MOS管适用于电源转换、电池管理系统、消费电子等多种领域， 是提升系统性能、优化能源利用的理想半导体器件选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-523
库存
810
货期
现货
SI1032R-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | SOT-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 810 |
SI1032R-T1-GE3-HXY概述
SI1032R-T1-GE3 是一款高端N沟道MOSFET， 采用紧凑型SOT-523封装设计， 适用于空间有限的应用场景。 器件特点鲜明， 具有20V的VDSS电压， 可承载0.8A连续电流ID， 而其优异的导通电阻RD(on)低至180mR， 确保了高效能和低功耗运行。 此款MOS管适用于电源转换、电池管理系统、消费电子等多种领域， 是提升系统性能、优化能源利用的理想半导体器件选择。
SI1032R-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI1032R-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。