SI1029X-T1-GE3
IC
SC-89-6
可供量大可议
SI1029X-T1-GE3
特性：无铅无卤， 符合 IEC 61249-2 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 占位面积非常小。 高端开关。 低导通电阻：N 沟道 1.40 Ω， P 沟道 4 Ω。 低阈值：±2 V（典型值）。 应用：替代数字晶体管、电平转换器。 电池供电系统
品牌
VISHAY
封装
SC-89-6
库存
1,565
货期
现货
SI1029X-T1-GE3参数
| 封装 | SC-89-6 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1565 |
SI1029X-T1-GE3概述
特性：无铅无卤， 符合 IEC 61249-2 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 占位面积非常小。 高端开关。 低导通电阻：N 沟道 1.40 Ω， P 沟道 4 Ω。 低阈值：±2 V（典型值）。 应用：替代数字晶体管、电平转换器。 电池供电系统
SI1029X-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI1029X-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。