SI1025X-T1-GE3
IC
SC-89-6
可供量大可议
SI1025X-T1-GE3
特性：无卤, 符合IEC 61249 2 21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 高端开关。 低导通电阻:4 Ω。 低阈值:2 V(典型值)。 快速开关速度:20 ns(典型值)。 应用：驱动器:继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等。 电池供电系统
品牌
VISHAY
封装
SC-89-6
库存
679
货期
现货
SI1025X-T1-GE3参数
| 封装 | SC-89-6 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 679 |
SI1025X-T1-GE3概述
特性：无卤, 符合IEC 61249 2 21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 高端开关。 低导通电阻:4 Ω。 低阈值:2 V(典型值)。 快速开关速度:20 ns(典型值)。 应用：驱动器:继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等。 电池供电系统
SI1025X-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI1025X-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。