SI1021R-T1-GE3
IC
SC-75A
可供量大可议
SI1021R-T1-GE3
特性：无卤， 符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 高端开关。 低导通电阻：4 Ω。 低阈值：-2 V（典型值）。 快速开关速度：20 ns（典型值）。 应用：驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等。 电池供电系统
品牌
VISHAY
封装
SC-75A
库存
2,628
货期
现货
SI1021R-T1-GE3参数
| 封装 | SC-75A |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2628 |
SI1021R-T1-GE3概述
特性：无卤， 符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 高端开关。 低导通电阻：4 Ω。 低阈值：-2 V（典型值）。 快速开关速度：20 ns（典型值）。 应用：驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等。 电池供电系统
SI1021R-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI1021R-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。