SI1016X-T1-GE3
IC
SOT-563
可供量大可议
SI1016X-T1-GE3
特性：无卤， 符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 2000 V ESD 保护。 占用空间小。 高端开关。 低导通电阻：N 沟道 0.7 Ω， P 沟道 1.2 Ω。 应用：替代数字晶体管、电平转换器。 电池供电系统
品牌
VISHAY
封装
SOT-563
库存
6,000
货期
现货
SI1016X-T1-GE3参数
| 封装 | SOT-563 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6000 |
SI1016X-T1-GE3概述
特性：无卤， 符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 2000 V ESD 保护。 占用空间小。 高端开关。 低导通电阻：N 沟道 0.7 Ω， P 沟道 1.2 Ω。 应用：替代数字晶体管、电平转换器。 电池供电系统
SI1016X-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI1016X-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。