SI1012R-T1-GE3-VB
IC
SC-75A
可供量大可议
SI1012R-T1-GE3-VB
台积电流片， 长电科技封装； SC75-3； N—Channel沟道, 20V； 0.85A； RDS(ON)=270mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=0.5~1V； 是一款单N结构设计， 采用Trench技术， 适用于低功率、高效能和高可靠性要求的电路和模块。
品牌
VBsemi
封装
SC-75A
库存
10
货期
现货
SI1012R-T1-GE3-VB参数
| 封装 | SC-75A |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
SI1012R-T1-GE3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； SC75-3； N—Channel沟道, 20V； 0.85A； RDS(ON)=270mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=0.5~1V； 是一款单N结构设计， 采用Trench技术， 适用于低功率、高效能和高可靠性要求的电路和模块。
SI1012R-T1-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SI1012R-T1-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。