SI1012R-T1-GE3-HXY
IC
SOT-523
可供量大可议
SI1012R-T1-GE3-HXY
SI1012R-T1-GE3 是一款采用微型SOT-523封装的高品质N沟道MOSFET。 它具备卓越的电气性能， 工作电压VDSS高达20V， 可承载最大连续电流ID为0.8A， 而且拥有极为出色的导通电阻RD(on)仅100mR， 有助于提升系统能效并减小能耗。 此款MOS管适合用于电源转换、电池供电设备、智能家居产品及其他空间受限但需高性能开关功能的场合， 是工程师优化电路设计的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-523
库存
145
货期
现货
SI1012R-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | SOT-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 145 |
SI1012R-T1-GE3-HXY概述
SI1012R-T1-GE3 是一款采用微型SOT-523封装的高品质N沟道MOSFET。 它具备卓越的电气性能， 工作电压VDSS高达20V， 可承载最大连续电流ID为0.8A， 而且拥有极为出色的导通电阻RD(on)仅100mR， 有助于提升系统能效并减小能耗。 此款MOS管适合用于电源转换、电池供电设备、智能家居产品及其他空间受限但需高性能开关功能的场合， 是工程师优化电路设计的理想选择。
SI1012R-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SI1012R-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。