SI1012CR-T1-GE3
IC
SC-75A
可供量大可议
SI1012CR-T1-GE3
场效应管(MOSFET) 240mW 20V 630mA 1个N沟道
品牌
VISHAY
封装
SC-75A
库存
24,420
货期
现货
SI1012CR-T1-GE3参数
| 封装 | SC-75A |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@1.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 43pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 14pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 24,420 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@8V |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF |
| 类型 | N沟道 |
SI1012CR-T1-GE3概述
场效应管(MOSFET) 240mW 20V 630mA 1个N沟道
SI1012CR-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SI1012CR-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。