SHY1920W
IC
TO-247
可供量大可议
SHY1920W
N沟道 耐压:200V 电流:90A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):90A 功率(Pd):550W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):23mΩ@10V, 30A
品牌
JSMSEMI
封装
TO-247
库存
36
货期
现货
SHY1920W参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 36 |
SHY1920W概述
N沟道 耐压:200V 电流:90A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):90A 功率(Pd):550W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):23mΩ@10V, 30A
SHY1920W特性
暂无产品特性。
SHY1920W应用领域
暂无应用领域。