SH8MA3TB1-HXY

本产品为N+P沟道场效应管（MOSFET）， 具有7A连续漏极电流（ID）和30V漏源耐压（VDSS）， 适用于中功率电源管理系统。 导通电阻（RDON）低至25mΩ， 可有效减少导通损耗， 提升整体效率。 该器件结合N沟道与P沟道结构， 具备良好的开关特性和稳定性， 适合用于电源适配器、充电管理模块、DC-DC转换器及各类便携式电子设备中的功率控制应用。