SGT50T65FD1PN
IC
TO-3P-3
可供量大可议
SGT50T65FD1PN
IGBT管/模块 SGT50T65FD1PN
品牌
SILAN
封装
TO-3P-3
库存
688
货期
现货
SGT50T65FD1PN参数
| 封装 | TO-3P-3 |
|---|---|
| 品牌 | SILAN(士兰微) |
| 批次 | 26+ |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@50A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@15V |
| 输出电容(Coes) | 100pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 45ns |
| 导通损耗(Eon) | 1mJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 33ns |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 688 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 耗散功率(Pd) | 235W |
| 集电极电流(Ic) | 100A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V |
| 输入电容(Cies) | 4.5nF |
| 反向传输电容(Cres) | 42pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 130ns |
| 关断损耗(Eoff) | 3.8mJ |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SGT50T65FD1PN概述
IGBT管/模块 SGT50T65FD1PN
SGT50T65FD1PN特性
暂无产品特性。
SGT50T65FD1PN应用领域
暂无应用领域。