SGO100N08L
IC
SO-8
可供量大可议
SGO100N08L
使用独特优化的沟槽MOSFET技术, 可提供高效的高频开关性能。 由于RDS(ON)、Ciss和Coss极低, 导通和开关功率损耗最小化。 适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
品牌
上海超致
封装
SO-8
库存
2
货期
现货
SGO100N08L参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | 上海超致 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
SGO100N08L概述
使用独特优化的沟槽MOSFET技术, 可提供高效的高频开关性能。 由于RDS(ON)、Ciss和Coss极低, 导通和开关功率损耗最小化。 适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
SGO100N08L特性
暂无产品特性。
SGO100N08L应用领域
暂无应用领域。
