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SGH40N60UFDTU
IC

TO-3P-3

可供量大可议

SGH40N60UFDTU

IGBT-600V-40A-160W-通孔-TO-3P

品牌

ON

封装

TO-3P-3

库存

1

货期

现货

SGH40N60UFDTU参数

封装TO-3P-3
品牌ON(安森美)
批次21+
耗散功率(Pd)160W
集电极电流(Ic)40A
栅极阈值电压(Vge(th))3.5V@20mA
输入电容(Cies)1.43nF
反向传输电容(Cres)50pF
关断延迟时间(Td(off))65ns
关断损耗(Eoff)200uJ
工作温度-55℃~+150℃
分类IGBT管/模块
库存1
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vces)600V
集射极饱和电压(VCE(sat))2.6V@40A, 15V
栅极电荷量(Qg)97nC@15V
输出电容(Coes)170pF
开启延迟时间(Td(on))15ns
导通损耗(Eon)160uJ
反向恢复时间(Trr)42ns

SGH40N60UFDTU概述

IGBT-600V-40A-160W-通孔-TO-3P

SGH40N60UFDTU特性

暂无产品特性。

SGH40N60UFDTU应用领域

暂无应用领域。

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