SG1M160120J
IC
TO-263-7L
可供量大可议
SG1M160120J
特性：高速开关。 极低的开关损耗。 IGBT兼容驱动电压（导通时为15V）。 完全可控的dv/dt。 高阻断电压和低导通电阻。 具有低反向恢复（Qrr）的快速本征二极管。 应用：车载充电器/PFC。 电动汽车电池充电器
品牌
SICHAIN
封装
TO-263-7L
库存
31
货期
现货
SG1M160120J参数
| 封装 | TO-263-7L |
|---|---|
| 品牌 | SICHAIN(清纯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 31 |
SG1M160120J概述
特性：高速开关。 极低的开关损耗。 IGBT兼容驱动电压（导通时为15V）。 完全可控的dv/dt。 高阻断电压和低导通电阻。 具有低反向恢复（Qrr）的快速本征二极管。 应用：车载充电器/PFC。 电动汽车电池充电器
SG1M160120J特性
暂无产品特性。
SG1M160120J应用领域
暂无应用领域。