SFT1445-TL-H-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
SFT1445-TL-H-HXY
该N沟道场效应管额定漏极电流为20A, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻低至80mΩ。 凭借高电流承载能力与低导通损耗特性, 器件适用于大电流开关电源、电池管理系统及电机驱动电路。 在负载切换与功率调节场景中, 其优异的导电性能有助于降低系统温升, 提升能源转换效率, 满足各类电子设备对高效功率控制元件的应用需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
45
货期
现货
SFT1445-TL-H-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
SFT1445-TL-H-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏极电流为20A, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻低至80mΩ。 凭借高电流承载能力与低导通损耗特性, 器件适用于大电流开关电源、电池管理系统及电机驱动电路。 在负载切换与功率调节场景中, 其优异的导电性能有助于降低系统温升, 提升能源转换效率, 满足各类电子设备对高效功率控制元件的应用需求。
SFT1445-TL-H-HXY特性
暂无产品特性。
SFT1445-TL-H-HXY应用领域
暂无应用领域。
