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SFT1445-TL-H-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

SFT1445-TL-H-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流为20A, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻低至80mΩ。 凭借高电流承载能力与低导通损耗特性, 器件适用于大电流开关电源、电池管理系统及电机驱动电路。 在负载切换与功率调节场景中, 其优异的导电性能有助于降低系统温升, 提升能源转换效率, 满足各类电子设备对高效功率控制元件的应用需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

45

货期

现货

SFT1445-TL-H-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存45

SFT1445-TL-H-HXY概述

该N沟道场效应管额定漏极电流为20A, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻低至80mΩ。 凭借高电流承载能力与低导通损耗特性, 器件适用于大电流开关电源、电池管理系统及电机驱动电路。 在负载切换与功率调节场景中, 其优异的导电性能有助于降低系统温升, 提升能源转换效率, 满足各类电子设备对高效功率控制元件的应用需求。

SFT1445-TL-H-HXY特性

暂无产品特性。

SFT1445-TL-H-HXY应用领域

暂无应用领域。

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