SFH617A-2

额定温度为110°C， 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。 采用GaAs红外二极管发射器， 与硅平面光电晶体管探测器光耦合， 并封装在塑料DIP-4封装中。 用于两个电气隔离电路之间的信号传输， 耦合器端部可堆叠， 间距为2.54mm。 选择选项6时， 爬电距离和电气间隙>8.8mm。