SFB096N200I3
IC
TO-263
可供量大可议
SFB096N200I3
N沟道 200V 100A 8.7mΩ@10v 功率(Pd) 250W 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
品牌
赛力康电气
封装
TO-263
库存
100
货期
现货
SFB096N200I3参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | 赛力康电气 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
SFB096N200I3概述
N沟道 200V 100A 8.7mΩ@10v 功率(Pd) 250W 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
SFB096N200I3特性
暂无产品特性。
SFB096N200I3应用领域
暂无应用领域。