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SESDFBP05C
IC

DFN1006-2

可供量大可议

SESDFBP05C

SESDFBP05C静电放电(ESD)保护二极管专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。 它们的特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供了理想的电气特性, 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低, 并且与MLV相比, 不会出现器件性能退化的问题。

品牌

SINO-IC

封装

DFN1006-2

库存

8,650

货期

现货

SESDFBP05C参数

封装DFN1006-2
品牌SINO-IC(光宇睿芯)
MOQ / SPQ1 / 50
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存8650

SESDFBP05C概述

SESDFBP05C静电放电(ESD)保护二极管专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。 它们的特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供了理想的电气特性, 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低, 并且与MLV相比, 不会出现器件性能退化的问题。

SESDFBP05C特性

暂无产品特性。

SESDFBP05C应用领域

暂无应用领域。

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