SE5VUBD522
IC
SOD-523
可供量大可议
SE5VUBD522
特性:对一条I/O线进行双向ESD保护。 超低电容:典型值为0.35pF。 低钳位电压。 工作电压:5V。 低泄漏电流。 固态硅雪崩技术。 应用:智能手机。 笔记本电脑
品牌
SSGSEMI
封装
SOD-523
库存
3,000
货期
现货
SE5VUBD522参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | SSGSEMI(世晶半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 3000 |
SE5VUBD522概述
特性:对一条I/O线进行双向ESD保护。 超低电容:典型值为0.35pF。 低钳位电压。 工作电压:5V。 低泄漏电流。 固态硅雪崩技术。 应用:智能手机。 笔记本电脑
SE5VUBD522特性
暂无产品特性。
SE5VUBD522应用领域
暂无应用领域。
