SE5VUBD322
IC
SOD-323
可供量大可议
SE5VUBD322
特性：对一条 I/O 线进行双向 ESD 保护。 超低电容：典型值为 0.35pF。 低钳位电压。 工作电压：5V。 低泄漏电流。 固态硅雪崩技术。 应用：智能手机。 笔记本电脑
品牌
SSGSEMI
封装
SOD-323
库存
2,900
货期
现货
SE5VUBD322参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | SSGSEMI(世晶半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2900 |
SE5VUBD322概述
特性：对一条 I/O 线进行双向 ESD 保护。 超低电容：典型值为 0.35pF。 低钳位电压。 工作电压：5V。 低泄漏电流。 固态硅雪崩技术。 应用：智能手机。 笔记本电脑
SE5VUBD322特性
暂无产品特性。
SE5VUBD322应用领域
暂无应用领域。