SE5VLVBN062
IC
DFN0603-2L
可供量大可议
SE5VLVBN062
特性：36瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20 μs）。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 空气放电：±20kV， 接触放电：±20kV。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
品牌
SSGSEMI
封装
DFN0603-2L
库存
10,000
货期
现货
SE5VLVBN062参数
| 封装 | DFN0603-2L |
|---|---|
| 品牌 | SSGSEMI(世晶半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 10000 |
SE5VLVBN062概述
特性：36瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20 μs）。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 空气放电：±20kV， 接触放电：±20kV。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
SE5VLVBN062特性
暂无产品特性。
SE5VLVBN062应用领域
暂无应用领域。