SE5VFD522
IC
SOD-523
可供量大可议
SE5VFD522
特性：225W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20 μs)。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 保护一条数据/电源线。 IEC 61000-4-2 ±30kV 接触， ±30kV 空气。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
品牌
SSGSEMI
封装
SOD-523
库存
2,980
货期
现货
SE5VFD522参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | SSGSEMI(世晶半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2980 |
SE5VFD522概述
特性：225W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20 μs)。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 保护一条数据/电源线。 IEC 61000-4-2 ±30kV 接触， ±30kV 空气。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
SE5VFD522特性
暂无产品特性。
SE5VFD522应用领域
暂无应用领域。