SE5VFBN102
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
SE5VFBN102
特性：100瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV 接触放电， ±30kV 空气放电。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理 (PDA)
品牌
SSGSEMI
封装
DFN1006-2L
库存
3,750
货期
现货
SE5VFBN102参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | SSGSEMI(世晶半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 3750 |
SE5VFBN102概述
特性：100瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV 接触放电， ±30kV 空气放电。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理 (PDA)
SE5VFBN102特性
暂无产品特性。
SE5VFBN102应用领域
暂无应用领域。