SE5VFBD522
IC
SOD-523
可供量大可议
SE5VFBD522
特性：100W峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV接触， ±30kV空气。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理 (PDA)
品牌
SSGSEMI
封装
SOD-523
库存
4,420
货期
现货
SE5VFBD522参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | SSGSEMI(世晶半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 4420 |
SE5VFBD522概述
特性：100W峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV接触， ±30kV空气。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理 (PDA)
SE5VFBD522特性
暂无产品特性。
SE5VFBD522应用领域
暂无应用领域。