SE4606L
IC
SOP-8
可供量大可议
SE4606L
特性：n沟道: -漏源电压（VDS） = 20V。 -漏极电流（ID） = 7A。 -导通电阻（RDS(ON)） = 20.0mΩ（VGS = 4.5V）。 p沟道: -漏源电压（VDS） = -18V。 -漏极电流（ID） = -5A。 -导通电阻（RDS(ON)） = 30mΩ（VGS = -4.5V）。 应用：台式机或DC/DC转换器中的电源管理
品牌
SINO-IC
封装
SOP-8
库存
10
货期
现货
SE4606L参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | SINO-IC(光宇睿芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
SE4606L概述
特性：n沟道: -漏源电压（VDS） = 20V。 -漏极电流（ID） = 7A。 -导通电阻（RDS(ON)） = 20.0mΩ（VGS = 4.5V）。 p沟道: -漏源电压（VDS） = -18V。 -漏极电流（ID） = -5A。 -导通电阻（RDS(ON)） = 30mΩ（VGS = -4.5V）。 应用：台式机或DC/DC转换器中的电源管理
SE4606L特性
暂无产品特性。
SE4606L应用领域
暂无应用领域。