SE3V3UBN102
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
SE3V3UBN102
特性：保护一个I/O或电源线。 超低电容：0.35pF。 工作电压：3.3V。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电±20kV， 接触放电±20kV。 IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 应用：笔记本电脑。 手机
品牌
SSGSEMI
封装
DFN1006-2L
库存
9,880
货期
现货
SE3V3UBN102参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | SSGSEMI(世晶半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 9880 |
SE3V3UBN102概述
特性：保护一个I/O或电源线。 超低电容：0.35pF。 工作电压：3.3V。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电±20kV， 接触放电±20kV。 IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 应用：笔记本电脑。 手机
SE3V3UBN102特性
暂无产品特性。
SE3V3UBN102应用领域
暂无应用领域。