SE3V3FHN062
IC
DFN0603-2L
可供量大可议
SE3V3FHN062
特性：小尺寸外形：0.02"x 0.01"（0.6 mm x 0.30 mm）。 保护一个I/O或电源线。 低钳位电压。 超低电容：30pF。 工作电压：± 3.3V。 低泄漏电流。 应用：手机及配件。 个人数字助理
品牌
SSGSEMI
封装
DFN0603-2L
库存
2,990
货期
现货
SE3V3FHN062参数
| 封装 | DFN0603-2L |
|---|---|
| 品牌 | SSGSEMI(世晶半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2990 |
SE3V3FHN062概述
特性：小尺寸外形：0.02"x 0.01"（0.6 mm x 0.30 mm）。 保护一个I/O或电源线。 低钳位电压。 超低电容：30pF。 工作电压：± 3.3V。 低泄漏电流。 应用：手机及配件。 个人数字助理
SE3V3FHN062特性
暂无产品特性。
SE3V3FHN062应用领域
暂无应用领域。