SE3V3FBDN102
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
SE3V3FBDN102
特性：双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2：接触放电±30kV， 空气放电±30kV。 IEC 61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
品牌
SSGSEMI
封装
DFN1006-2L
库存
9,550
货期
现货
SE3V3FBDN102参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | SSGSEMI(世晶半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 9550 |
SE3V3FBDN102概述
特性：双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2：接触放电±30kV， 空气放电±30kV。 IEC 61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
SE3V3FBDN102特性
暂无产品特性。
SE3V3FBDN102应用领域
暂无应用领域。