SE3V3FBDN062
IC
DFN0603-2L
可供量大可议
SE3V3FBDN062
特性：110W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型 DFN0603 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用：手机及配件。 便携式电子设备
品牌
SSGSEMI
封装
DFN0603-2L
库存
9,750
货期
现货
SE3V3FBDN062参数
| 封装 | DFN0603-2L |
|---|---|
| 品牌 | SSGSEMI(世晶半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 9750 |
SE3V3FBDN062概述
特性：110W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型 DFN0603 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用：手机及配件。 便携式电子设备
SE3V3FBDN062特性
暂无产品特性。
SE3V3FBDN062应用领域
暂无应用领域。