SE30150G
IC
DFN5X6-8L
可供量大可议
SE30150G
SE30150G采用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 并能在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于作为
品牌
SINO-IC
封装
DFN5X6-8L
库存
730
货期
现货
SE30150G参数
| 封装 | DFN5X6-8L |
|---|---|
| 品牌 | SINO-IC(光宇睿芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 730 |
SE30150G概述
SE30150G采用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 并能在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于作为
SE30150G特性
暂无产品特性。
SE30150G应用领域
暂无应用领域。