SE2101E
IC
SOT-523-3
可供量大可议
SE2101E
P-Channel增强模式功率MOSFET， 采用高单元密度和DMOS沟槽技术生产。 该器件特别适合低电压应用， 尤其是电池供电电路， 其微小而纤薄的外形节省了PCB消耗。
品牌
SINO-IC
封装
SOT-523-3
库存
2,820
货期
现货
SE2101E参数
| 封装 | SOT-523-3 |
|---|---|
| 品牌 | SINO-IC(光宇睿芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2820 |
SE2101E概述
P-Channel增强模式功率MOSFET， 采用高单元密度和DMOS沟槽技术生产。 该器件特别适合低电压应用， 尤其是电池供电电路， 其微小而纤薄的外形节省了PCB消耗。
SE2101E特性
暂无产品特性。
SE2101E应用领域
暂无应用领域。