SE1V8FBN102
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
SE1V8FBN102
特性：峰值脉冲功率110瓦（tp = 8/20μs）。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 接触放电 ±30kV， 空气放电 ±30kV。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
品牌
SSGSEMI
封装
DFN1006-2L
库存
12,950
货期
现货
SE1V8FBN102参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | SSGSEMI(世晶半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 12950 |
SE1V8FBN102概述
特性：峰值脉冲功率110瓦（tp = 8/20μs）。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 接触放电 ±30kV， 空气放电 ±30kV。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
SE1V8FBN102特性
暂无产品特性。
SE1V8FBN102应用领域
暂无应用领域。