SE18VFN102
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
SE18VFN102
特性：保护一条I/O或电源线。 工作电压：18V。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2（ESD）：±30kV（空气）， ±30kV（接触）。 IEC 61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）。 IEC 61000-4-5（浪涌）：10A（8/20μs）。 应用：手机及配件。 个人数字助理（PDA）
品牌
SSGSEMI
封装
DFN1006-2L
库存
10,000
货期
现货
SE18VFN102参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | SSGSEMI(世晶半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 10000 |
SE18VFN102概述
特性：保护一条I/O或电源线。 工作电压：18V。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2（ESD）：±30kV（空气）， ±30kV（接触）。 IEC 61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）。 IEC 61000-4-5（浪涌）：10A（8/20μs）。 应用：手机及配件。 个人数字助理（PDA）
SE18VFN102特性
暂无产品特性。
SE18VFN102应用领域
暂无应用领域。