SE18VFBN102
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
SE18VFBN102
特性：保护一条I/O或电源线。 工作电压：18V。 低漏电流。 IEC 61000-4-2（ESD）：±25kV（空气）， ±25kV（接触）。 IEC 61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）。 IEC 61000-4-5（浪涌）：6A（8/20μs）。 应用：手机及配件。 个人数字助理（PDA）
品牌
SSGSEMI
封装
DFN1006-2L
库存
9,840
货期
现货
SE18VFBN102参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | SSGSEMI(世晶半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 9840 |
SE18VFBN102概述
特性：保护一条I/O或电源线。 工作电压：18V。 低漏电流。 IEC 61000-4-2（ESD）：±25kV（空气）， ±25kV（接触）。 IEC 61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）。 IEC 61000-4-5（浪涌）：6A（8/20μs）。 应用：手机及配件。 个人数字助理（PDA）
SE18VFBN102特性
暂无产品特性。
SE18VFBN102应用领域
暂无应用领域。