SE18VFBD522
IC
SOD-523
可供量大可议
SE18VFBD522
特性：280瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20 μs）。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 保护一条数据/电源线。 IEC 61000-4-2 ±30kV接触， ±30kV空气。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
品牌
SSGSEMI
封装
SOD-523
库存
2,940
货期
现货
SE18VFBD522参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | SSGSEMI(世晶半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2940 |
SE18VFBD522概述
特性：280瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20 μs）。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 保护一条数据/电源线。 IEC 61000-4-2 ±30kV接触， ±30kV空气。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
SE18VFBD522特性
暂无产品特性。
SE18VFBD522应用领域
暂无应用领域。