SE150180G
IC
TO-263
可供量大可议
SE150180G
采用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和低工作电压。 该器件适合用作负载开关或用于脉冲宽度调制（PWM）应用。 驱动要求简单。 封装外形小。 为表面贴装器件。
品牌
SINO-IC
封装
TO-263
库存
184
货期
现货
SE150180G参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | SINO-IC(光宇睿芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 184 |
SE150180G概述
采用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和低工作电压。 该器件适合用作负载开关或用于脉冲宽度调制（PWM）应用。 驱动要求简单。 封装外形小。 为表面贴装器件。
SE150180G特性
暂无产品特性。
SE150180G应用领域
暂无应用领域。