SE12VFBN062
IC
DFN0603-2L
可供量大可议
SE12VFBN062
特性：小尺寸外形：0.60 mm x 0.30 mm。 单线路双向ESD保护。 低钳位电压。 工作电压：12 V。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试：空气放电 ±30kV， 接触放电 ±30kV。 应用：手机及配件。 便携式电子设备
品牌
SSGSEMI
封装
DFN0603-2L
库存
9,840
货期
现货
SE12VFBN062参数
| 封装 | DFN0603-2L |
|---|---|
| 品牌 | SSGSEMI(世晶半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 9840 |
SE12VFBN062概述
特性：小尺寸外形：0.60 mm x 0.30 mm。 单线路双向ESD保护。 低钳位电压。 工作电压：12 V。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试：空气放电 ±30kV， 接触放电 ±30kV。 应用：手机及配件。 便携式电子设备
SE12VFBN062特性
暂无产品特性。
SE12VFBN062应用领域
暂无应用领域。