SDV301N3
IC
SOT-883
可供量大可议
SDV301N3
特性：30V N-Channel MOSFET High Dense Design. RDS(ON) = 300 mΩ (typ. ) @ VGS = 4.5 V。 RDS(ON) = 400 mΩ (typ. ) @ VGS = 2.5 V。 Reliable and Rugged。 ESD Protected。 应用：Portable Equipment and Battery Power Systems
品牌
SHIKUES
封装
SOT-883
库存
2,750
货期
现货
SDV301N3参数
| 封装 | SOT-883 |
|---|---|
| 品牌 | SHIKUES(时科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2750 |
SDV301N3概述
特性：30V N-Channel MOSFET High Dense Design. RDS(ON) = 300 mΩ (typ. ) @ VGS = 4.5 V。 RDS(ON) = 400 mΩ (typ. ) @ VGS = 2.5 V。 Reliable and Rugged。 ESD Protected。 应用：Portable Equipment and Battery Power Systems
SDV301N3特性
暂无产品特性。
SDV301N3应用领域
暂无应用领域。