SDT20B100CTFP-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
SDT20B100CTFP-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)为100V。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 具备良好的反向截止性能。 器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高效率电源整流、多路输出转换器及对热性能和瞬态耐受能力有较高要求的电子系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
49
货期
现货
SDT20B100CTFP-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 49 |
SDT20B100CTFP-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)为100V。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 具备良好的反向截止性能。 器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高效率电源整流、多路输出转换器及对热性能和瞬态耐受能力有较高要求的电子系统中。
SDT20B100CTFP-HXY特性
暂无产品特性。
SDT20B100CTFP-HXY应用领域
暂无应用领域。
