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SDT20B100CTFP-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

SDT20B100CTFP-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)为100V。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 具备良好的反向截止性能。 器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高效率电源整流、多路输出转换器及对热性能和瞬态耐受能力有较高要求的电子系统中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

49

货期

现货

SDT20B100CTFP-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存49

SDT20B100CTFP-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)为100V。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 具备良好的反向截止性能。 器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高效率电源整流、多路输出转换器及对热性能和瞬态耐受能力有较高要求的电子系统中。

SDT20B100CTFP-HXY特性

暂无产品特性。

SDT20B100CTFP-HXY应用领域

暂无应用领域。

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