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SDT20B100CT-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

SDT20B100CT-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)为100V, 正向压降(VF)为0.85V, 反向漏电流(IR)为20μA, 最大正向浪涌电流(IFSM)达200A。 共阴极结构适用于需要双路整流或同步输出的电路拓扑, 较低的VF有助于降低导通损耗, 提升系统效率, 而较高的IFSM能力可有效应对启动或瞬态过程中的电流冲击, 适合用于高效率电源、适配器及各类对可靠性要求较高的电子设备中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

40

货期

现货

SDT20B100CT-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存40

SDT20B100CT-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)为100V, 正向压降(VF)为0.85V, 反向漏电流(IR)为20μA, 最大正向浪涌电流(IFSM)达200A。 共阴极结构适用于需要双路整流或同步输出的电路拓扑, 较低的VF有助于降低导通损耗, 提升系统效率, 而较高的IFSM能力可有效应对启动或瞬态过程中的电流冲击, 适合用于高效率电源、适配器及各类对可靠性要求较高的电子设备中。

SDT20B100CT-HXY特性

暂无产品特性。

SDT20B100CT-HXY应用领域

暂无应用领域。

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