SDT20B100CT-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
SDT20B100CT-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)为100V, 正向压降(VF)为0.85V, 反向漏电流(IR)为20μA, 最大正向浪涌电流(IFSM)达200A。 共阴极结构适用于需要双路整流或同步输出的电路拓扑, 较低的VF有助于降低导通损耗, 提升系统效率, 而较高的IFSM能力可有效应对启动或瞬态过程中的电流冲击, 适合用于高效率电源、适配器及各类对可靠性要求较高的电子设备中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
40
货期
现货
SDT20B100CT-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 40 |
SDT20B100CT-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)为100V, 正向压降(VF)为0.85V, 反向漏电流(IR)为20μA, 最大正向浪涌电流(IFSM)达200A。 共阴极结构适用于需要双路整流或同步输出的电路拓扑, 较低的VF有助于降低导通损耗, 提升系统效率, 而较高的IFSM能力可有效应对启动或瞬态过程中的电流冲击, 适合用于高效率电源、适配器及各类对可靠性要求较高的电子设备中。
SDT20B100CT-HXY特性
暂无产品特性。
SDT20B100CT-HXY应用领域
暂无应用领域。
