SDT10S60-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构， 额定正向电流为10A， 最大反向重复电压达650V。 其正向压降典型值为1.5V， 在高温或高频率工作条件下仍能维持较低的导通损耗。 反向漏电流仅为60μA， 表现出优异的阻断特性。 器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流， 适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换场合， 如高频开关电源、功率因数校正电路及各类紧凑型电力电子系统。