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SDT08S60-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

SDT08S60-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向电压(VR)达650V。 其正向压降(VF)为1.38V, 在导通状态下具有较低的功率损耗。 器件可承受高达88A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频开关电源、功率因数校正电路以及对效率和热性能要求较高的电力转换系统。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

25

货期

现货

SDT08S60-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存25

SDT08S60-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向电压(VR)达650V。 其正向压降(VF)为1.38V, 在导通状态下具有较低的功率损耗。 器件可承受高达88A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频开关电源、功率因数校正电路以及对效率和热性能要求较高的电力转换系统。

SDT08S60-HXY特性

暂无产品特性。

SDT08S60-HXY应用领域

暂无应用领域。

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