SDT08S60-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
SDT08S60-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向电压(VR)达650V。 其正向压降(VF)为1.38V, 在导通状态下具有较低的功率损耗。 器件可承受高达88A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频开关电源、功率因数校正电路以及对效率和热性能要求较高的电力转换系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
25
货期
现货
SDT08S60-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 25 |
SDT08S60-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向电压(VR)达650V。 其正向压降(VF)为1.38V, 在导通状态下具有较低的功率损耗。 器件可承受高达88A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频开关电源、功率因数校正电路以及对效率和热性能要求较高的电力转换系统。
SDT08S60-HXY特性
暂无产品特性。
SDT08S60-HXY应用领域
暂无应用领域。
