SDT06S60-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
SDT06S60-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 最大反向重复电压达650V, 正向压降典型值为1.68V, 在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。 其基于碳化硅材料特性, 具备较低的导通损耗与优异的高频开关性能, 适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换场景。 器件结构设计支持快速恢复特性, 有助于减少系统中的开关损耗与电磁干扰。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
25
货期
现货
SDT06S60-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 25 |
SDT06S60-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 最大反向重复电压达650V, 正向压降典型值为1.68V, 在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。 其基于碳化硅材料特性, 具备较低的导通损耗与优异的高频开关性能, 适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换场景。 器件结构设计支持快速恢复特性, 有助于减少系统中的开关损耗与电磁干扰。
SDT06S60-HXY特性
暂无产品特性。
SDT06S60-HXY应用领域
暂无应用领域。
