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SDT06S60-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

SDT06S60-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 最大反向重复电压达650V, 正向压降典型值为1.68V, 在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。 其基于碳化硅材料特性, 具备较低的导通损耗与优异的高频开关性能, 适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换场景。 器件结构设计支持快速恢复特性, 有助于减少系统中的开关损耗与电磁干扰。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

25

货期

现货

SDT06S60-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存25

SDT06S60-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 最大反向重复电压达650V, 正向压降典型值为1.68V, 在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。 其基于碳化硅材料特性, 具备较低的导通损耗与优异的高频开关性能, 适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换场景。 器件结构设计支持快速恢复特性, 有助于减少系统中的开关损耗与电磁干扰。

SDT06S60-HXY特性

暂无产品特性。

SDT06S60-HXY应用领域

暂无应用领域。

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