SDT04S60-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
SDT04S60-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为4A, 最大反向重复峰值电压达650V, 正向压降为1.53V。 其非重复浪涌正向电流能力为32A, 能够承受短时过载条件下的电流冲击。 基于碳化硅材料的特性, 器件在高频工作状态下仍保持较低的开关损耗和良好的热稳定性, 适用于对体积、效率及动态响应有较高要求的电源转换与电力电子系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
SDT04S60-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
SDT04S60-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为4A, 最大反向重复峰值电压达650V, 正向压降为1.53V。 其非重复浪涌正向电流能力为32A, 能够承受短时过载条件下的电流冲击。 基于碳化硅材料的特性, 器件在高频工作状态下仍保持较低的开关损耗和良好的热稳定性, 适用于对体积、效率及动态响应有较高要求的电源转换与电力电子系统。
SDT04S60-HXY特性
暂无产品特性。
SDT04S60-HXY应用领域
暂无应用领域。
