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SDT04S60-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

SDT04S60-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为4A, 最大反向重复峰值电压达650V, 正向压降为1.53V。 其非重复浪涌正向电流能力为32A, 能够承受短时过载条件下的电流冲击。 基于碳化硅材料的特性, 器件在高频工作状态下仍保持较低的开关损耗和良好的热稳定性, 适用于对体积、效率及动态响应有较高要求的电源转换与电力电子系统。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

SDT04S60-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

SDT04S60-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为4A, 最大反向重复峰值电压达650V, 正向压降为1.53V。 其非重复浪涌正向电流能力为32A, 能够承受短时过载条件下的电流冲击。 基于碳化硅材料的特性, 器件在高频工作状态下仍保持较低的开关损耗和良好的热稳定性, 适用于对体积、效率及动态响应有较高要求的电源转换与电力电子系统。

SDT04S60-HXY特性

暂无产品特性。

SDT04S60-HXY应用领域

暂无应用领域。

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