SDP10N06-VB
IC
TO-220AB
可供量大可议
SDP10N06-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用Plannar技术， 适用于各种要求高功率开关和电源管理的场合。 TO220； N—Channel沟道, 650V； 10A； RDS(ON)=840mΩ@VGS=10V, VGS=±30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
18
货期
现货
SDP10N06-VB参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 18 |
SDP10N06-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用Plannar技术， 适用于各种要求高功率开关和电源管理的场合。 TO220； N—Channel沟道, 650V； 10A； RDS(ON)=840mΩ@VGS=10V, VGS=±30V； Vth=2~4V
SDP10N06-VB特性
暂无产品特性。
SDP10N06-VB应用领域
暂无应用领域。