SDN2803
IC
DFN-6(2x2)
可供量大可议
SDN2803
场效应管配置 独立式； 场效应管类型P管； 1个P沟道； 漏源电压(Vdss)20V； 连续漏极电流(Id)4A； 导通电阻(RDS(on))90mΩ； 阈值电压(Vgs(th))10V； 栅极电荷量(Qg)8nC@4.5V； 反向传输电容(Crss)75pF； 输入电容(Ciss)510pF； 耗散功率(pd)1250mW； 输出电容(Coss)95pF； 工作结温范围-55℃~+150℃
品牌
TDD
封装
DFN-6(2x2)
库存
2,905
货期
现货
SDN2803参数
| 封装 | DFN-6(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | TDD(台冠电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2905 |
SDN2803概述
场效应管配置 独立式； 场效应管类型P管； 1个P沟道； 漏源电压(Vdss)20V； 连续漏极电流(Id)4A； 导通电阻(RDS(on))90mΩ； 阈值电压(Vgs(th))10V； 栅极电荷量(Qg)8nC@4.5V； 反向传输电容(Crss)75pF； 输入电容(Ciss)510pF； 耗散功率(pd)1250mW； 输出电容(Coss)95pF； 工作结温范围-55℃~+150℃
SDN2803特性
暂无产品特性。
SDN2803应用领域
暂无应用领域。