SDM2100S1F-7-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
SDM2100S1F-7-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有2A的正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.85V, 在导通状态下能有效降低功耗; 反向漏电流(IR)仅为20μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达50A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、开关模式电源以及高频逆变器等应用场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
2,990
货期
现货
SDM2100S1F-7-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 2990 |
SDM2100S1F-7-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有2A的正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.85V, 在导通状态下能有效降低功耗; 反向漏电流(IR)仅为20μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达50A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、开关模式电源以及高频逆变器等应用场合。
SDM2100S1F-7-HXY特性
暂无产品特性。
SDM2100S1F-7-HXY应用领域
暂无应用领域。
